[发明专利]导电层结构及其制造工艺无效
申请号: | 200910203099.4 | 申请日: | 2009-05-19 |
公开(公告)号: | CN101599440A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
发明(设计)人: | M·罗姆;J·阿特纳 | 申请(专利权)人: | 雷恩哈德库兹基金两合公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 郭 放 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及用于在电绝缘衬底(1)上制造图案构造的至少一个导电层结构(5”’)的工艺;以及按照该工艺所制造的导电层结构(5”’),其在层平面中所有方向上的尺寸都小于20mm。 | ||
搜索关键词: | 导电 结构 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】:
1、一种用于在电绝缘衬底(1)上形成图案构造的至少一个导电层结构(5”’)的工艺,其特征在于包括下列步骤:在衬底(1)的至少一个表面上涂覆导电层(2);在导电层(2)的第一区域中形成电绝缘抗蚀剂层(4),其中按要形成的所述至少一个图案化的层结构(5”’)的形状空出导电层(2)的至少一个第二区域(2”),还空出导电层(2)的至少一个带状第三区域(2a’、2b’),其中导电层(2)的第一、第二和第三区域被导电连接起来,并且所述至少一个第三区域(2a’、2b’)的端部从所述至少一个第三区域(2a’、2b’)的纵向上看时从所述至少一个第二区域(2”)的至少一侧处突出;在导电层(2)的所述至少一个第二区域(2”)和所述至少一个第三区域(2a’、2b’)中电镀沉积金属层(5);去除抗蚀剂层(4);以及对在远离衬底(1)的一侧的上的第一区域中的导电层(2)以及金属层(5)分别进行蚀刻去除直到第一区域中的导电层(2)被去除为止,从而形成所述至少一个图案化的层结构(5”’)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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