[发明专利]萧基二极管装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200910203127.2 | 申请日： | 2009-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101901840A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 白煌朗;蔡宏圣 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种萧基二极管装置及其制造方法，所述萧基二极管装置包括：一p型半导体结构；一n型漂移区，设置于所述p型半导体结构表面，包括掺质浓度相异的一第一n型掺杂区以及一第二n型掺杂区，而所述第二n型掺杂区具有较所述第一n型掺杂区为高的掺质浓度；多个隔离结构，设置于所述第二n型掺杂区内，以定义出一阳极区以及一阴极区；一第三n型掺杂区，设置于为所述阴极区所部分露出的所述第二n型掺杂区表面；一阳极电极，设置于所述阳极区内的所述第一n型掺杂区之上；以及一阴极电极，设置于所述阴极区内的所述第三n型掺杂区之上。本发明提供了一种萧基二极管装置及其制造方法，以改善其崩溃电压与单位面积电流等电性表现。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种萧基二极管装置，其特征在于，所述装置包括：一p型半导体结构；一n型漂移区，设置于所述p型半导体结构表面，其中所述n型漂移区包括掺质浓度相异的一第一n型掺杂区以及一第二n型掺杂区而所述第二n型掺杂区是环绕所述第一n型掺杂区的侧壁且具有较所述第一n型掺杂区为高的掺质浓度；多个隔离结构，设置于所述n型漂移区的所述第二n型掺杂区内，以定义出一阳极区以及一阴极区，其中所述阳极区露出所述第一n型掺杂区的表面而所述阴极区部分露出所述第二n型掺杂区的表面；一第三n型掺杂区，设置于为所述阴极区所部分露出的第二n型掺杂区表面，其中所述第三n型掺杂区具有高于所述第二n型掺杂区的掺质浓度；一阳极电极，设置于所述阳极区内的所述第一n型掺杂区之上；以及一阴极电极，设置于所述阴极区内的所述第三n型掺杂区之上。
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