[发明专利]薄型半导体晶片和减薄半导体晶片的方法有效
| 申请号： | 200910203389.9 | 申请日： | 2009-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101673679A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | M·J·瑟登 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L23/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦 晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种薄型半导体晶片和一种用于减薄所述半导体晶片的方法。从半导体晶片背面减薄半导体晶片，以在所述半导体晶片的背面的中心区域形成腔。该腔的形成还包括在该半导体晶片的外围区形成环形支撑结构。该环形支撑结构具有内缘和外缘。所述内缘可为斜切形或台阶形。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于减薄半导体晶片的方法，包括：提供具有第一和第二侧以及主表面的所述半导体晶片；在所述半导体晶片的所述第二侧中形成环形支撑结构，其中所述环形支撑结构具有第一和第二支撑部分，并且其中所述第二支撑部分的宽度大于所述第一部分的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
