[发明专利]涂敷处理方法、程序、计算机存储介质和涂敷处理装置无效
申请号: | 200910203720.7 | 申请日: | 2009-05-20 |
公开(公告)号: | CN101585029A | 公开(公告)日: | 2009-11-25 |
发明(设计)人: | 吉原孝介;一野克宪;井关智弘 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | B05D1/38 | 分类号: | B05D1/38;B05B7/00;B05B15/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种涂敷处理方法、程序、计算机存储介质和涂敷处理装置,能够在基板面内均匀地涂敷涂敷液并能够降低涂敷液的供给量。首先,向晶片(W)的中心部供给纯水(P)。然后,向纯水(P)的中心部供给表面张力比纯水(P)的表面张力低的溶剂(Q)。溶剂(Q)与纯水(P)相比在其扩散方向的后方呈晶片(W)的同心圆状扩散。然后,在使晶片(W)旋转的同时向溶剂(Q)的中心部供给抗蚀剂液(R)。抗蚀剂液(R)被纯水(P)和溶剂(Q)所引导而呈晶片(W)的同心圆状扩散,从而在晶片(W)上的整个表面扩散。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 程序 计算机 存储 介质 装置 | ||
【主权项】:
1.一种涂敷处理方法,向基板上涂敷含有有机溶剂的涂敷液,该涂敷处理方法的特征在于,包括:第一工序,向基板的中心部供给具有第一表面张力的处理液;第二工序,在所述第一工序之后,向通过所述第一工序所供给的处理液的中心部供给涂敷液的溶剂,其中,所述涂敷液的溶剂具有比所述第一表面张力低的第二表面张力;和第三工序,在所述第二工序之后,在使基板旋转的同时向通过所述第二工序所供给的溶剂的中心部供给涂敷液,使所述处理液和所述溶剂在基板上扩散,从而使所述涂敷液在基板上的整个表面扩散。
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