[发明专利]具有特殊结构的跨接导线的半导体布置结构及其制造方法有效
申请号: | 200910203858.7 | 申请日: | 2009-05-20 |
公开(公告)号: | CN101604667A | 公开(公告)日: | 2009-12-16 |
发明(设计)人: | P·施通普夫 | 申请(专利权)人: | 迈克纳斯公司 |
主分类号: | H01L23/02 | 分类号: | H01L23/02;H01L23/49;H01L23/482;H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 谢志刚 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体布置结构和一种用于制造这种半导体布置结构的方法,具有两个设置在一个壳体内的集成电路(IC1、IC2),它们通过跨接导线(10)相互导电连接。至少一个跨接导线(10)利用其最好球形的第一末端(12)连接在第一集成电路(IC1)的连接区上。跨接导线(10)另一个设计成楔形的末端(14)与第二集成电路(IC2)的连接区(6)通过同样最好球形的中间件(20)连接。中间件(20)由比跨接导线(10)更软的材料组成。优选跨接导线(10)由铜或者铜合金和中间件(20)由金或者金合金组成。优点:降低集成电路的材料成本。 | ||
搜索关键词: | 具有 特殊 结构 导线 半导体 布置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体布置结构,具有至少两个设置在一壳体(1)内的集成电路(IC1、IC2),这些集成电路通过跨接导线(10)相互导电连接,其中,跨接导线(10)中的至少一个以一个末端(12)导电连接在第一集成电路(IC1)的一第一连接区(3)上,并以一楔形渐缩的第二末端(14)与一安装在第二集成电路(IC2)的连接区(6)上的并且导电的中间件(20)导电连接,其特征在于,跨接导线(10)由与中间件(20)不同的材料组成,并且中间件(20)的材料比跨接导线(10)的材料软。
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