[发明专利]光掩模坯料、光掩模及光掩模的制造方法有效
| 申请号： | 200910203985.7 | 申请日： | 2009-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101556432A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 野泽顺 | 申请（专利权）人： | HOYA株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F1/08;G03F1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在透明基板上具有至少由两层组成的遮光膜的光掩模坯料，所述遮光膜是以含有低于62at％的氮的氮化钽作为主要成分的材料，并且具有：由用不含氧的氯系气体能够进行干蚀刻的材料形成的遮光层；以及形成于该遮光层的上面的、由用氯系气体不能进行干蚀刻而用氟系气体能够进行干蚀刻的材料形成的表面防反射层。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模 坯料 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光掩模坯料，其用于制作适用ArF准分子激光器的曝光光的光掩模，并且在透明基板上具有至少由两层构成的遮光膜，该光掩模坯料的特征在于，所述遮光膜是以含有低于62at％的氮的氮化钽作为主要成分的材料，并且该遮光膜具有：由用不含氧的氯系气体能够进行干蚀刻的材料形成的遮光层；以及形成于该遮光层的上面的、由用氯系气体不能进行干蚀刻而用氟系气体能够进行干蚀刻的材料形成的表面防反射层。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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