[发明专利]铜导体糊剂、铜导体填充通孔的衬底的制造方法、电路衬底、电子部件、半导体封装有效
| 申请号： | 200910204039.4 | 申请日： | 2009-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101930959A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 林耀广;黑田浩太郎;豆崎修 | 申请（专利权）人： | 三之星机带株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/48;H01L23/15;H05K1/09;H05K3/40 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 樊卫民;郭国清 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供铜导体糊剂、铜导体填充通孔的衬底及其制造方法、电路衬底、电子部件、半导体封装。其中，所述通孔填充用铜导体糊剂，填充到通孔中并煅烧时可以减少收缩的产生，防止铜导体脱落或发生导通不良。本发明涉及一种填充在耐热性衬底的通孔中并在非氧化性气氛下煅烧的类型的通孔填充用铜导体糊剂，其特征在于，由煅烧引起的体积变化率为8％以下、且煅烧后的铜导体的电阻率为10μΩ·cm以下。另外，至少含有铜粉末、玻璃粉末、有机载体，铜粉末是由10～30质量％的粒径小于1μm的粉末、和70～90质量％的粒径为1～50μm的粉末构成的混合粉末，而且振实密度为6.0g/cc以上，且铜导体糊剂中的有机成分含量为8.5质量％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 导体 填充 衬底 制造 方法 电路 电子 部件 半导体 封装 | ||
【主权项】：
一种通孔填充用铜导体糊剂，其为填充到耐热性衬底的通孔中并在非氧化性气氛下进行煅烧的类型，其特征在于，由煅烧引起的体积变化率为8％以下，且煅烧后的铜导体的电阻率为10μΩ·cm以下。
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