[发明专利]电压能阶差参考电路无效
| 申请号： | 200910204052.X | 申请日： | 2009-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN101923367A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 郑文昌 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/24 | 分类号： | G05F3/24 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种电压能阶差参考电路，包含：一第一NMOSFET，具有一漏极以及一源极；一第二NMOSFET，具有一漏极以及一源极，该第一NMOSFET的该源极以及该第二NMOSFET的该源极均耦接至具有一第一固定电压电平的一第一特定电压；以及一电压维持电路，耦接于该第一NMOSFET的该漏极以及该第二NMOSFET的该漏极，该电压维持电路是将该第一NMOSFET的该漏极的电压电平以及该第二NMOSFET的该漏极的电压电平维持在同一电压电平。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 能阶差 参考 电路 | ||
【主权项】：
一种电压能阶差参考电路，其特征在于包含：一第一NMOSFET，具有一漏极以及一源极；一第二NMOSFET，具有一漏极以及一源极，该第一NMOSFET的该源极以及该第二NMOSFET的该源极均耦接至具有一第一固定电压电平的一第一特定电压；以及一电压维持电路，耦接于该第一NMOSFET的该漏极以及该第二NMOSFET的该漏极，该电压维持电路是将该第一NMOSFET的该漏极的电压电平以及该第二NMOSFET的该漏极的电压电平维持在同一电压电平。
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