[发明专利]半导体装置无效

专利信息
申请号: 200910204660.0 申请日: 2009-10-10
公开(公告)号: CN101728349A 公开(公告)日: 2010-06-09
发明(设计)人: 太田行俊;平野博茂;伊藤豊;小池功二 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L23/528
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体装置,即使将布线层变薄时也能够在电极焊盘形成区域中确实防止布线层消失,能稳定电连接布线层与电极焊盘。在半导体基板(1)上的第4层间绝缘膜(10)中形成多个接触用布线(11B)。在各接触用布线(11B)上和第4层间绝缘膜(10)上形成第1保护绝缘膜(12),在第1保护绝缘膜(12)上形成露出各接触用布线(11B)的第1开口部(12a)。在第1开口部(12a)的内部经由壁垒金属膜(13)形成与接触用布线(11B)电连接的电极焊盘(14)。在第1开口部(12a)的下侧存在未配置接触用布线(11B)的区域。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具有:绝缘膜,形成在半导体基板上;接触用布线,形成在所述绝缘膜中;保护膜,形成在所述接触用布线和所述绝缘膜上;开口部,形成在所述保护膜上,使所述接触用布线露出;和电极焊盘,形成在所述开口部,与所述接触用布线电连接,所述开口部的下侧存在未配置所述接触用布线的区域。
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