[发明专利]相转变层的形成方法及使用该相转变层的相转变存储器件的制造方法无效
| 申请号： | 200910205432.5 | 申请日： | 2009-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101764089A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 金炫弼;卢一喆;郑智元 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本文公开了一种形成不产生接缝的稳定的相转变层的方法以及制造使用所述相转变层的相转变存储器件的方法。在形成相转变层的方法中，相转变层通过实施相转变材料的第一沉积工艺、实施蚀刻工艺以蚀刻相转变材料、以及在经蚀刻的相转变材料上实施相转变材料的第二沉积工艺而形成。蚀刻工艺和第二沉积工艺实施预定次数。 | ||
| 搜索关键词： | 转变 形成 方法 使用 存储 器件 制造 | ||
【主权项】：
一种在半导体器件中形成相转变层的方法，包括：(a)在目标区上沉积相转变材料；(b)蚀刻所述目标区上的所述相转变材料的表面，以使表面坡度减小；和(c)在所述相转变材料的经蚀刻表面上沉积另外的相转变材料，其中步骤(b)和(c)实施N次，而(a)至(c)的每个步骤可重复多于一次。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
