[发明专利]在低电容瞬时电压抑制器(TVS)内整合控向二极管的优化配置有效
| 申请号： | 200910205649.6 | 申请日： | 2009-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101930975A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 马督儿·博德 | 申请（专利权）人： | 万国半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/08 | 分类号： | H01L27/08;H01L29/861;H01L21/82;H02H9/04 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 美国加利福尼亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种设置在半导体衬底上的瞬时电压抑制(TVS)器件，包括一个低端控向二极管和一个高端控向二极管，与主稳压二极管相连，以抑制瞬时电压。低端控向二极管和高端控向二极管与稳压二极管相连，设置在半导体衬底中，每一个二极管都包含一个纵向PN结，作为半导体衬底中的纵向二极管，用来减小瞬时电压抑制(TVS)器件所占的横向面积。在一个典型实施例中，高端控向二极管和稳压二极管沿竖直方向互相重叠，进一步减小瞬时电压抑制(TVS)器件所占的横向面积。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 瞬时 电压 抑制器 tvs 整合 二极管 优化 配置 | ||
【主权项】：
一种位于半导体衬底上的瞬时电压抑制器(TVS)器件，其特征在于，包括：一与主稳压二极管相连接的控向二极管对，以抑制瞬时电压，其中所述控向二极管对的每一控向二极管都与主稳压二极管相连，作为半导体衬底中的纵向二极管构成一个PN结，以此减小瞬时电压抑制器(TVS)器件所占的横向面积，并且其中所述控向二极管对包括一个高端控向二极管和一个低端控向二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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