[发明专利]检测非易失性存储单元的阈值电压位移的方法有效
| 申请号： | 200910205712.6 | 申请日： | 2009-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101673580A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 黄相元 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/10;G11C16/26;G11C29/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 通过以下步骤来操作非易失性存储装置：使用从与特定温度范围相关的理想校验电压Vv得出的校验电压电平，在存储装置中编程采样数据用于校验；使用与所述温度范围相关的所述校验电压Vv执行对所述采样数据的读取校验操作；以及基于所述读取校验操作的结果来确定温度补偿参数Nc。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 非易失性 存储 单元 阈值 电压 位移 方法 | ||
【主权项】：
1.一种操作非易失性存储装置的方法，包括：使用从与特定温度范围相关的理想校验电压Vv得出的校验电压电平，在存储装置中编程采样数据用于校验；使用与所述温度范围相关的所述校验电压Vv执行对所述采样数据的读取校验操作；基于所述读取校验操作的结果来确定温度补偿参数Nc。
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