[发明专利]二氧化硅组合物的选择性蚀刻有效
| 申请号： | 200910205725.3 | 申请日： | 2009-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101667609A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | G·M·米歇尔;S·A·莫蒂卡;A·D·约翰逊 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 万雪松;韦欣华 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及二氧化硅组合物的选择性蚀刻。一种优于硅选择性蚀刻含二氧化硅的材料的方法，该方法包括以下步骤：将具有含二氧化硅的材料层的硅衬底放置于配有能量源的反应室中；在该反应室中制造真空；向该反应室中引入包含有氟化合物、可聚合碳氟化合物和惰性气体的反应气体混合物，其中该反应气体混合物中基本不含有添加的氧；激活该能量源以在该反应室中形成等离子体激活的反应蚀刻气体混合物；和优先于硅衬底选择性蚀刻该含二氧化硅的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化硅 组合 选择性 蚀刻 | ||
【主权项】：
1.一种优先于硅而选择性蚀刻含二氧化硅的材料的方法，该方法包括以下步骤：将具有含二氧化硅的材料层的硅衬底放置于配有能量源的反应室中；在该反应室中制造真空；向该反应室中引入包含氟化合物、可聚合碳氟化合物和惰性气体的反应气体混合物，其中该反应气体混合物中基本不含有添加的氧；激活该能量源以在该反应室中形成等离子体激活的反应蚀刻气体混合物；和优先于硅衬底而选择性蚀刻该含二氧化硅的材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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