[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。从漏极层的下方经由元件分离绝缘膜的下方，形成扩展到源极层的下部的N型主体层的下方的N型外延层中的P型漂移层。该P型漂移层在漏极层的正下方的深度比在元件分离绝缘膜的下方的深度浅，此外，从元件分离绝缘膜的下方起越接近N型主体层越变浅，与N型主体层的底部连接。这样，由于P型漂移层在所述宽范围内扩散，因此形成从N型主体层到漏极层的宽的电流通路，可以提高电流驱动能力，还可以提高漏极耐压。

主权项

1、一种半导体装置，其特征在于，包括：第一导电型的半导体层；元件分离绝缘膜，形成在所述半导体层的表面上；第一导电型主体层，与所述元件分离绝缘膜的一端相邻，并形成在所述半导体层的表面上；第二导电型漏极层，与所述元件分离绝缘膜的另一端相邻，并形成在所述半导体层的表面上；第二导电型源极层，形成在所述主体层的表面上；栅极绝缘膜，形成在所述主体层上；栅电极，从所述元件分离绝缘膜上经由所述栅极绝缘膜延伸到所述主体层上；和漂移层，从所述漏极层的下方扩展到所述源极层下部的所述主体层下方的所述半导体层中，所述漂移层在所述漏极层的正下方的深度比在所述元件分离绝缘膜的下方的深度浅，并且从所述元件分离绝缘膜的下方起越接近所述主体层越变浅，并与所述主体层的底部连接。