[发明专利]执行编程和验证操作的可变电阻存储器装置无效
| 申请号： | 200910205790.6 | 申请日： | 2009-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101727982A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 黄荣南;严昌镕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C13/00;G06F12/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李佳;穆德骏 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种执行编程和验证操作的可变电阻存储器装置，包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；脉冲移位器，对多个编程脉冲进行移位以生成多个移位的编程脉冲；写及验证驱动器，接收所述多个移位的编程脉冲以将随所述多个移位的编程脉冲变化的编程电流提供给所述多个存储器单元；和控制逻辑，在编程/验证操作期间将所述多个编程脉冲提供给所述脉冲移位器和所述写及验证驱动器，使得在所述编程/验证操作期间至少两个写数据比特被并行地编程到所述存储器单元阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 执行 编程 验证 操作 可变 电阻 存储器 装置 | ||
【主权项】：
一种可变电阻存储器装置，包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储器单元；脉冲移位器，所述脉冲移位器对多个编程脉冲进行移位，以生成多个移位的编程脉冲；写及验证驱动器，所述写及验证驱动器接收所述多个移位的编程脉冲，以将编程电流提供给所述多个存储器单元，所述编程电流随所述多个移位的编程脉冲而变化；以及控制逻辑，所述控制逻辑在编程/验证操作期间将所述多个编程脉冲提供给所述脉冲移位器和所述写及验证驱动器，使得在所述编程/验证操作期间至少两个写数据比特被并行地编程到所述存储器单元阵列。
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