[发明专利]单井电压的电压电平转换器有效
| 申请号： | 200910206007.8 | 申请日： | 2007-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN101694996A | 公开（公告）日： | 2010-04-14 |
| 发明（设计）人： | 鲁立忠;王中兴;戴春晖;田丽钧;陈顺利 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电压电平转换器，该电压电平转换器包括：一第一P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，该第一PMOS晶体管具有分别与一输入端、一第一正电压电源和一第二正电压电源连接的一栅极、一源极和一基质；以及一第二PMOS晶体管，该第二PMOS晶体管具有分别与一第三正电压电源、一输出节点和该第二正电压电源连接的一源极、一漏极和一基质；其中，该第一和第二PMOS晶体管形成在一单N井中。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 电平 转换器 | ||
【主权项】：
一种电压电平转换器，包括：一第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管具有与一输入端连接的一栅极、和都与一第一正电压电源连接的一源极和一基质；及，一第二PMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管具有分别与一第二正电压电源、一输出节点和所述第一正电压电源连接的一源极、一漏极和一基质；其中，所述第一和第二PMOS晶体管形成在一单N井中。
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