[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200910206179.5 | 申请日： | 2009-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101740547A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 本山幸一 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;C23C14/14;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;安翔 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及制造半导体器件的方法。一种半导体器件，包括：绝缘膜；沟槽，其形成在绝缘膜中；阻挡金属膜，其形成在沟槽的侧壁和底表面上，并且由钛(Ti)和钽(Ta)的合金构成；以及铜(Cu)布线，其堆叠在阻挡金属膜上，并且位于沟槽中。阻挡金属膜的钛浓度等于或大于0.1at％并且等于或小于14at％。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：绝缘膜；沟槽，其形成在所述绝缘膜中；阻挡金属膜，其形成在所述沟槽的侧壁和底表面上，并且由钛和钽的合金构成；以及铜布线，其堆叠在所述阻挡金属膜上，并且位于所述沟槽中，其中，所述阻挡金属膜的钛浓度等于或大于0.1at％并且等于或小于14at％。
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