[发明专利]半导体器件

摘要

本发明提供维持高耐压的同时能够谋求小型化的半导体器件，在IGBT芯片的外围部分中，在场氧化膜(13)上的场板(14)与场板(15)之间，设置形成为包围IGBT单元的中间电位电极(20)，在中间电位电极(20)上，从局部地形成在芯片外围部分上的一部分区域中的中间电位施加单元提供作为发射极电极(10)的电位与沟道截断电极(12)的电位之间的电位的预定中间电位。

主权项

1.一种半导体器件，该半导体器件具有形成在半导体衬底上的半导体元件和设置在上述半导体元件周围的外围构造，其特征在于，上述外围构造具备：形成在该外围构造的外围部分上且与上述半导体衬底电连接的第1电极；形成在上述半导体元件的形成区与上述第1电极之间的上述半导体衬底上的绝缘膜；形成在上述绝缘膜上且连接于上述第1电极与配置在上述半导体元件中的上述半导体衬底上最外侧的第2电极之间的多级反向连接二极管；和在上述绝缘膜下方的上述半导体衬底中形成为包围上述半导体元件的保护环，其中，在上述多级反向连接二极管中，在一个上述保护环的上方仅配置单一导电类型的区域。