[发明专利]半导体器件和操作半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200910206367.8 | 申请日： | 2009-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN101727962A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 高桥弘行 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C7/06;G11C7/14;G11C11/4094;G11C11/4091;G11C11/4099;G11C8/08;G11C11/408 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体器件和操作半导体器件的方法。半导体器件包括：存储器单元(2)；预充电电路(8)；负电势施加电路(3)；以及传感放大器(6)。存储器单元(2)被连接至第一位线(BT)并且存储数据。预充电电路(8)被连接至第一和第二位线(BT、BN)并且将第一和第二位线(BT、BN)预充电到接地电势。负电势施加电路(3)被连接至第一位线(BT)并且将负电势施加给第一位线(BT)。传感放大器被连接至第一和第二位线(BT、BN)并且基于第一位线(BT)的第一电势和第二位线(BN)的第二电势之间的差读取数据。负电势的绝对值小于第一电势和第二电势之间的差。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 操作 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：存储器单元，所述存储器单元被构造为被连接至第一位线并且存储数据；预充电电路，所述预充电电路被构造为被连接至所述第一位线和第二位线并且将所述第一位线和所述第二位线预充电到接地电势；负电势施加电路，所述负电势施加电路被构造为被连接至所述第一位线并且将负电势施加给所述第一位线；以及传感放大器，所述传感放大器被构造为被连接至所述第一位线和所述第二位线并且基于所述第一位线的第一电势和所述第二位线的第二电势之间的差读取数据，其中所述负电势的绝对值小于所述第一电势和所述第二电势之间的所述差。
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