[发明专利]薄膜太阳能电池修复方法和设备无效
申请号: | 200910206698.1 | 申请日: | 2009-10-30 |
公开(公告)号: | CN101710601A | 公开(公告)日: | 2010-05-19 |
发明(设计)人: | 杨立友;蒋维楠 | 申请(专利权)人: | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/20;H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310052 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供一种用于修复薄膜太阳能电池的方法和设备,其中该设备包括如下装置:电压源(201),用于对待修复的薄膜太阳能电池中的一个光电转换层两侧施加反向偏压;红外成像装置(202),用于对施加反向偏压的薄膜太阳能电池进行红外成像;图像分析装置(203),用于识别和定位所述红外成像中的高温区域;存储装置(204),用于存储所述识别和定位的高温区域的位置;以及清除或隔离装置(205),用于清除或隔离所述识别和定位的高温区域。上述修复方法和设备能够精确地执行薄膜太阳能电池的修复,提高薄膜太阳能电池的成品率。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 修复 方法 设备 | ||
【主权项】:
一种用于修复薄膜太阳能电池的方法,其中包括如下步骤:对待修复的薄膜太阳能电池中的一个光电转换层两侧施加反向偏压;对施加反向偏压的薄膜太阳能电池进行红外成像;识别和定位所述红外成像中的高温区域;以及清除或隔离所述识别和定位的高温区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的