[发明专利]具有改进的高-k栅极电介质和金属栅极界面的栅极结构无效
| 申请号： | 200910206726.X | 申请日： | 2009-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101740372A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 林思宏;杨棋铭;陈其贤;林进祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/336;H01L29/51;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种制造半导体器件栅极的方法。实施例中，本方法包括在半导体衬底上形成栅极电介质层。在栅极电介质层上形成界面层。实施例中，栅极电介质层包含HfO2，界面层包含Hf-N。功函数金属层可形成在界面层上。本发明同时提供了一种器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 栅极 电介质 金属 界面 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件栅极的制造方法，包括：在半导体衬底上形成栅极电介质层；在栅极电介质层上形成界面层；在界面层上形成功函数金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910206726.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种针对痰湿体质的体质疗法
- 下一篇：一种绿茶含片及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
