[发明专利]抛光半导体晶片两面的方法有效
| 申请号： | 200910207281.7 | 申请日： | 2009-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101722462A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | J·施万德纳 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;H01L21/304;C09G1/02;C09K3/14 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 程大军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及抛光半导体晶片两面的方法，其包括以下规定顺序的步骤：a)在抛光垫上抛光半导体晶片的背面，所述抛光垫包含固定在抛光垫中的研磨剂，在该抛光步骤期间在半导体晶片的背面和抛光垫之间引入不含固体的抛光剂溶液；b)在抛光垫上一次抛光半导体晶片的正面，所述抛光垫包含固定在抛光垫中的研磨剂，在该抛光步骤期间在半导体晶片的正面和抛光垫之间引入不含固体的抛光剂溶液；c)通过在抛光垫上抛光半导体晶片的正面，由半导体晶片的正面除去微粗糙和微损伤，在该抛光步骤期间在半导体晶片的正面和抛光垫之间引入包含研磨剂的抛光剂溶液；d)通过在抛光垫上抛光半导体晶片的正面，精整抛光半导体晶片的正面，所述抛光垫不含固定在抛光垫中的研磨剂，在该抛光步骤期间在半导体晶片的正面和抛光垫之间引入包含研磨剂的抛光剂溶液。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 半导体 晶片 两面 方法 | ||
【主权项】：
抛光半导体晶片两面的方法，其包括以下规定顺序的步骤：a)在抛光垫上抛光半导体晶片的背面，所述抛光垫包含固定在抛光垫中的研磨剂，在该抛光步骤期间在半导体晶片的背面和抛光垫之间引入不含固体的抛光剂溶液；b)在抛光垫上一次抛光半导体晶片的正面，所述抛光垫包含固定在抛光垫中的研磨剂，在该抛光步骤期间在半导体晶片的正面和抛光垫之间引入不含固体的抛光剂溶液；c)通过在抛光垫上抛光半导体晶片的正面，由半导体晶片的正面除去微粗糙和微损伤，在该抛光步骤期间在半导体晶片的正面和抛光垫之间引入包含研磨剂的抛光剂溶液；d)通过在抛光垫上抛光半导体晶片的正面，精整抛光半导体晶片的正面，所述抛光垫不含固定在抛光垫中的研磨剂，在该抛光步骤期间在半导体晶片的正面和抛光垫之间引入包含研磨剂的抛光剂溶液。
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