[发明专利]基片处理装置及为此使用的覆盖构件有效
申请号: | 200910207463.4 | 申请日: | 2009-11-05 |
公开(公告)号: | CN102024674A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 金炳埈 | 申请(专利权)人: | 金炳埈 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/683 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了一种基片处理装置,更具体而言是一种能够执行诸如基片蚀刻的基片处理的基片处理装置及其覆盖构件。该基片处理装置包括:处理室,所述处理室形成用于基片处理的处理空间;基片支撑板,所述基片支撑板具有下部电极,并构造成在其上直接或者通过托盘固定一个或者多个基片;覆盖构件,所述覆盖构件具有沿向上和向下方向以贯通形式形成的多个开口,并构造成覆盖基片;以及一个或者更多个向下变形阻止构件,所述向下变形阻止构件安装在覆盖构件和基片支撑板之间,用于维持覆盖构件的底面与基片支撑板之间的距离。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 为此 使用 覆盖 构件 | ||
【主权项】:
一种基片处理装置,包括:处理室,其形成用于基片处理的处理空间;基片支撑板,其具有下部电极,并构造成在其上直接或者通过托盘装配一个或者更多个基片;覆盖构件,其具有沿向上和向下方向贯通地形成的多个开口,并构造成覆盖所述基片;以及一个或者更多个向下变形阻止构件,其安装在所述覆盖构件和所述基片支撑板之间,用于维持所述覆盖构件的底面与所述基片支撑板之间的距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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