[发明专利]等离子体处理装置及其构成部件有效
| 申请号： | 200910207951.5 | 申请日： | 2009-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN101740298A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 村上贵宏;若木俊克 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/04 | 分类号： | H01J37/04;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理装置及其构成部件，该等离子体处理装置的构成部件能够防止沉积物在角部堆积。在利用等离子体对晶片(W)实施干蚀刻处理的等离子体处理装置(10)所具备的上部电极(33)的外侧电极(33b)，内周部(33c)和倾斜面(33d)所成的角部(33e)的角度(θ1)是140°，槽(41)的底面(41a)和倾斜面(41b)所成的角部(41c)的角度(θ2)是125°，槽(41)的底面(41a)和倾斜面(41d)所成的角部(41e)的角度(θ3)是125°，槽(41)的底面(41a)的宽度是鞘层长度的2倍以上。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 及其 构成 部件 | ||
【主权项】：
一种利用等离子体对基板实施等离子体处理的等离子体处理装置的构成部件，其暴露于所述等离子体，其特征在于：具有两个面交叉而形成的角部，所述两个面的交叉角度是115°～180°中的任一角度。
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