[发明专利]电路、控制方法及对于休眠模式和运行模式的电路应用无效
| 申请号： | 200910208102.1 | 申请日： | 2009-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101727955A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | L·达特;T·哈努施;M·福韦尔克 | 申请（专利权）人： | 爱特梅尔汽车股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;H03K19/0948 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国海*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 电路、用于控制的方法以及用于休眠模式和运行模式的电路的应用，所述电路具有数字CMOS电路，所述数字CMOS电路具有NMOS场效应晶体管以及具有PMOS场效应晶体管，具有第一负载装置，其中，所述数字CMOS电路的NMOS场效应晶体管的源极连接端子通过所述第一负载装置与第一供电电压相连接，以及具有第二负载装置，其中，所述数字CMOS电路的PMOS场效应晶体管的源极连接端子通过所述第二负载装置与第二供电电压相连接，其中，所述数字CMOS电路的NMOS场效应晶体管的基体连接端子直接与所述第一供电电压相连接，其中，所述数字CMOS电路的PMOS场效应晶体管的基体连接端子直接与所述第二供电电压相连接。 | ||
| 搜索关键词： | 电路 控制 方法 对于 休眠 模式 运行 应用 | ||
【主权项】：
电路(10)具有一数字CMOS电路(20)，所述数字CMOS电路(20)具有NMOS场效应晶体管(MN21，MN22，MN23，MN24)以及具有PMOS场效应晶体管(MP21，MP22，MP23，MP24)，具有一第一负载装置(40)，其中，所述数字CMOS电路(20)的NMOS场效应晶体管(MN21，MN22，MN23，MN24)的源极连接端子(S)通过所述第一负载装置(40)与一第一供电电压(VSS)相连接，以及具有一第二负载装置(30)，其中，所述数字CMOS电路(20)的PMOS场效应晶体管(MP21，MP22，MP23，MP24)的源极连接端子(S)通过所述第二负载装置(30)与一第二供电电压(VDD)相连接，其中，所述数字CMOS电路(20)的NMOS场效应晶体管(MN21，MN22，MN23，MN24)的基体连接端子(B)直接与所述第一供电电压(VSS)相连接，其中，所述数字CMOS电路(20)的PMOS场效应晶体管(MP21，MP22，MP23，MP24)的基体连接端子(B)直接与所述第二供电电压(VDD)相连接。
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