[发明专利]用于确定光刻掩模的可制造性的方法和系统无效
申请号: | 200910208363.3 | 申请日: | 2009-11-12 |
公开(公告)号: | CN101750880A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 井上忠宣;D·O·梅尔威尔;牟田英正;田克汉;阪本正治;A·E·罗森布卢特 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 于静;杨晓光 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及用于确定光刻掩模的可制造性的方法和系统。确定在制造半导体器件样品时所采用的光刻掩模的可制造性。从光刻掩模的掩模版图数据中选择多个目标边缘对,用于确定在形成光刻掩模时的制造惩罚。掩模版图数据包括多个多边形,每一个多边形具有多个边缘。每一个目标边缘对由一个或多个多边形中的两个边缘限定。确定光刻掩模的可制造性,包括确定在形成光刻掩模时的制造惩罚。基于所选择的目标边缘对确定制造惩罚。使用在连续尺度上表征光刻掩模的可制造性的连续导数,确定光刻掩模的可制造性。输出光刻掩模的可制造性。光刻掩模的可制造性依赖于形成光刻掩模时的制造惩罚。 | ||
搜索关键词: | 用于 确定 光刻 制造 方法 系统 | ||
【主权项】:
一种用于确定在制造半导体器件样品时所采用的光刻掩模的可制造性的方法,其包括:从所述光刻掩模的掩模版图数据中选择多个目标边缘对,所述多个目标边缘对用于确定在形成所述光刻掩模时的制造惩罚,所述掩模版图数据包括多个多边形,每一个多边形具有多个边缘,并且每一个目标边缘对由一个或多个所述多边形中的两个边缘限定;确定所述光刻掩模的所述可制造性,包括确定在形成所述掩模时的所述制造惩罚,其中基于所选择的目标边缘对确定所述制造惩罚,并且其中确定所述光刻掩模的所述可制造性包括使用在连续尺度上表征所述光刻掩模的所述可制造性的连续导数;以及输出所述光刻掩模的所述可制造性,其中所述光刻掩模的所述可制造性依赖于在形成所述光刻掩模时的所述制造惩罚。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司,未经国际商业机器公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910208363.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备