[发明专利]用于确定光刻掩模的可制造性的方法和系统无效

专利信息
申请号: 200910208363.3 申请日: 2009-11-12
公开(公告)号: CN101750880A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 井上忠宣;D·O·梅尔威尔;牟田英正;田克汉;阪本正治;A·E·罗森布卢特 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: G03F1/14 分类号: G03F1/14
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 于静;杨晓光
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及用于确定光刻掩模的可制造性的方法和系统。确定在制造半导体器件样品时所采用的光刻掩模的可制造性。从光刻掩模的掩模版图数据中选择多个目标边缘对,用于确定在形成光刻掩模时的制造惩罚。掩模版图数据包括多个多边形,每一个多边形具有多个边缘。每一个目标边缘对由一个或多个多边形中的两个边缘限定。确定光刻掩模的可制造性,包括确定在形成光刻掩模时的制造惩罚。基于所选择的目标边缘对确定制造惩罚。使用在连续尺度上表征光刻掩模的可制造性的连续导数,确定光刻掩模的可制造性。输出光刻掩模的可制造性。光刻掩模的可制造性依赖于形成光刻掩模时的制造惩罚。
搜索关键词: 用于 确定 光刻 制造 方法 系统
【主权项】:
一种用于确定在制造半导体器件样品时所采用的光刻掩模的可制造性的方法,其包括:从所述光刻掩模的掩模版图数据中选择多个目标边缘对,所述多个目标边缘对用于确定在形成所述光刻掩模时的制造惩罚,所述掩模版图数据包括多个多边形,每一个多边形具有多个边缘,并且每一个目标边缘对由一个或多个所述多边形中的两个边缘限定;确定所述光刻掩模的所述可制造性,包括确定在形成所述掩模时的所述制造惩罚,其中基于所选择的目标边缘对确定所述制造惩罚,并且其中确定所述光刻掩模的所述可制造性包括使用在连续尺度上表征所述光刻掩模的所述可制造性的连续导数;以及输出所述光刻掩模的所述可制造性,其中所述光刻掩模的所述可制造性依赖于在形成所述光刻掩模时的所述制造惩罚。
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