[发明专利]形成窗式球栅数组封装预基板的方法有效
申请号: | 200910208516.4 | 申请日: | 2009-10-28 |
公开(公告)号: | CN102054708A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | 颜立盛;吴唐仪;黄慧玫 | 申请(专利权)人: | 联致科技股份有限公司;欣兴电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/12;H01L23/488;H01L23/544 |
代理公司: | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人: | 许志勇;刘云贵 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 形成窗式球栅数组封装预基板的方法,先提供复合基材,包含第一基材与第二基材,其分别包含第一面与第二面。其次,在复合基材上形成板治具孔。接着进行蚀刻工艺,形成第一基材与第二基材的图案化铜。继续,以防焊层覆盖第一基材与第二基材的图案化铜,暴露出部分的图案化铜以形成电连接点。接着,以保护层覆盖第一基材与第二基材的电连接点。然后,分离复合基材以得到第一基材与第二基材。再来,在第一基材与第二基材上形成条治具孔。随后,分别在第一基材与第二基材的第一面上形成对位标记,进而得到窗式球栅数组封装预基板。 | ||
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【主权项】:
一种形成窗式球栅数组封装预基板的方法,其特征在于包含:提供一复合基材,包含一第一基材与一第二基材,其中该第一基材与该第二基材分别包含一第一面与一第二面;在该复合基材上形成多个板治具孔;进行一蚀刻工艺,以图案化该第一基材的该第二面与该第二基材的该第二面上的铜;以一防焊层覆盖该第一基材的该图案化铜与该第二基材的该图案化铜,并暴露出部分的该图案化铜以形成多个电连接点;以一保护层覆盖该第一基材的该些电连接点与该第二基材的该些电连接点;分离该复合基材,以分别得到该第一基材与该第二基材;分别在该第一基材与该第二基材上形成多个条治具孔;以及分别在该第一基材的该第一面与该第二基材的该第一面上,使用白漆或绿漆或蓝漆或银膏或铜膏或锡膏或一激光以形成一对位标记,而得到该窗式球栅数组封装预基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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