[发明专利]电容式微加工超声传感器无效
申请号: | 200910209028.5 | 申请日: | 2009-10-23 |
公开(公告)号: | CN101746707A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 黄勇力 | 申请(专利权)人: | 黄勇力 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02 |
代理公司: | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人: | 董梅 |
地址: | 美国加利福尼*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种超声传感器,尤其涉及一种电容式微加工超声传感器(cMUT)。一个电容式微加工超声传感器,包括第一支撑层、结合在第一支撑层上的第一电极、第二支撑层和设置在第二支撑层上的第二电极,第二支撑层与第一支撑层通过弹性机构连接,其中,所述的第二支撑层上设有增强机构,该增强机构能够有效增大所述的第二支撑层的共振频率与其等效薄膜质量之间的比率(f0/m),提高电容式微加工超声传感器的频率响应灵敏度。本发明的在可变形薄膜或表面薄膜上设置增强机构,大大提高了薄膜的共振频率和其等效薄膜质量之间的比率(f0/m),增加电容式微加工超声传感器的频率响应灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 电容 式微 加工 超声 传感器 | ||
【主权项】:
一个电容式微加工超声传感器,包括第一支撑层、结合在第一支撑层上的第一电极、第二支撑层和设置在第二支撑层上的第二电极,其中,第二支撑层与第一支撑层通过弹性机构连接,其特征在于:所述的第二支撑层上设有增强机构,该增强机构能够有效增大所述的第二支撑层的共振频率与其等效薄膜质量之间的比率(f0/m),提高电容式微加工超声传感器的频率响应灵敏度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于黄勇力,未经黄勇力许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910209028.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种复方异常黑胆质成熟剂的总酚的提取制备方法
- 下一篇:一种无花果西洋参含片