[发明专利]电容式微加工超声传感器无效

专利信息
申请号: 200910209028.5 申请日: 2009-10-23
公开(公告)号: CN101746707A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 黄勇力 申请(专利权)人: 黄勇力
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02
代理公司: 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 代理人: 董梅
地址: 美国加利福尼*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及一种超声传感器,尤其涉及一种电容式微加工超声传感器(cMUT)。一个电容式微加工超声传感器,包括第一支撑层、结合在第一支撑层上的第一电极、第二支撑层和设置在第二支撑层上的第二电极,第二支撑层与第一支撑层通过弹性机构连接,其中,所述的第二支撑层上设有增强机构,该增强机构能够有效增大所述的第二支撑层的共振频率与其等效薄膜质量之间的比率(f0/m),提高电容式微加工超声传感器的频率响应灵敏度。本发明的在可变形薄膜或表面薄膜上设置增强机构,大大提高了薄膜的共振频率和其等效薄膜质量之间的比率(f0/m),增加电容式微加工超声传感器的频率响应灵敏度。
搜索关键词: 电容 式微 加工 超声 传感器
【主权项】:
一个电容式微加工超声传感器,包括第一支撑层、结合在第一支撑层上的第一电极、第二支撑层和设置在第二支撑层上的第二电极,其中,第二支撑层与第一支撑层通过弹性机构连接,其特征在于:所述的第二支撑层上设有增强机构,该增强机构能够有效增大所述的第二支撑层的共振频率与其等效薄膜质量之间的比率(f0/m),提高电容式微加工超声传感器的频率响应灵敏度。
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