[发明专利]逻辑电路

摘要

一种逻辑电路。本发明的目标是要将使用氧化物半导体的晶体管应用于包括增强型晶体管的逻辑电路。该逻辑电路包括耗尽型晶体管101和增强型晶体管102。晶体管101和102的每个包括栅电极、栅极绝缘层、第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层、源电极、及漏电极。晶体管102包括设置于第一氧化物半导体层在源电极和漏电极之间的区域之上的降低防止层。

主权项

一种逻辑电路，包括：具有栅极、源极、及漏极的耗尽型晶体管，具有栅极、源极、及漏极的增强型晶体管，与增强型晶体管的栅极电连接的第一线端；以及与所述增强型晶体管连接到所述耗尽型晶体管的那部分电连接的第二线端，其中高电源电压端与耗尽型晶体管的源极和漏极中的一个电连接，并且耗尽型晶体管的栅极与耗尽型晶体管的源极和漏极中的另一个电连接；其中增强型晶体管的源极和漏极中的一个与耗尽型晶体管的源极和漏极中的另一个电连接，并且低电源电压端与增强型晶体管的源极和漏极中的另一个电连接，其中耗尽型晶体管和增强型晶体管的每个包括：栅电极；设置于栅电极之上的栅极绝缘层；设置于栅极绝缘层之上的第一氧化物半导体层；与第一氧化物半导体层的部分接触的源区和漏区，其中源区和漏区是第二氧化物半导体层；与源区接触的源电极；以及与漏区接触的漏电极，其中增强型晶体管包括在所述第一氧化物半导体层、源电极及漏电极之上的降低防止层，以及其中耗尽型晶体管不包括在所述第一氧化物半导体层、源电极、及漏电极之上的降低防止层。