[发明专利]FINFET元件的制造方法无效
| 申请号： | 200910209143.2 | 申请日： | 2009-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101866885A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 许俊豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/8234;H01L21/336;H01L21/20;H01L27/12;H01L27/088;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种FinFET元件和制造FinFET元件的方法。FinFET元件包括锗FinFET元件(如包括Ge鳍的多栅器件)。在一个实施例中，制造Ge-FinFET元件的方法包括在衬底上形成硅鳍，在硅鳍上选择生长包括锗的外延层。然后使用Ge凝结工艺以可选择地氧化Si鳍的硅并将Gi鳍转变为Ge鳍。所提供的制造方法可以允许使用SOI衬底或体硅衬底，以及CMOS兼容工艺以形成Ge-FinFET元件。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造FinFET元件的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成多个鳍；在所述鳍上生长外延层，其中所述外延层包括锗；以及进行锗凝结工艺，其中所述锗凝结工艺将锗从所述外延层转移到所述鳍上以形成锗鳍(Ge鳍)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
