[发明专利]一种使SONOS电晶体兼具开关以及记忆体的方法

摘要

本发明公开了一种使SONOS电晶体兼具开关以及记忆体的方法。该方法利用记忆体的源极端或是漏极端进行FN穿遂，进而改变漏极端或源极端附近的上方电荷储存层内的电子储存状态，并利用栅极感应漏极漏电流变化判别漏极或源极的记忆状态，在运作过程中电晶体一直保持稳定的临界电压。本发明可以使单一电晶体同时具有开关与记忆体双重特性，且具备二位元的记忆效果，且能提供与一般记忆体相比较高的记忆密度。

主权项

一种使SONOS电晶体兼具开关以及记忆体的方法，该电晶体包含一栅极、一源极、一漏极和一电荷储存层，其步骤包含：提供该栅极一第一操作电压用以累积电子于该电荷储存层中，并使该电晶体之一临界电压的电压值由一第一临界电压增加至一第二临界电压，且该电晶体的该临界电压稳定维持在该第二临界电压；执行一开关模式或一记忆体模式；进入该开关模式，判断提供给该栅极之一第二操作电压是否高于该第二临界电压，若高于该临界电压则导通，若否则截止；进入该记忆体模式，给予该栅极一第一判断电压，并提供一第二判断电压至该源极或该漏极，借以判断该电晶体内的记体状态；执行写入操作，给与栅极一写入电压，源极和漏极为接地状态；执行抹除操作，提供一抹除电压于该漏极或源极，其余两极接地；其中，该开关模式与该记忆体模式为两独立模式，运作结束后即可结束操作。