[发明专利]栅极轮廓的进阶工艺控制方法与制造集成电路元件的系统

摘要

本发明是有关于一种栅极轮廓的进阶工艺控制方法与制造集成电路元件的系统，该进阶工艺控制方法，用以制造一半导体元件，以改善其效能。此方法可包含提供一基材；进行多个工艺，以在前述基材上形成一栅极堆，其中前述栅极堆包括一栅极层；在前述工艺的至少之一后，测量前述栅极层的一晶粒尺寸测量值；判断前述晶粒尺寸测量值是否在一目标范围内；以及倘若前述晶粒尺寸测量值不在上述目标范围内，修改前述工艺的至少之一的一工艺参数。

主权项

一种进阶工艺控制方法，用以制造一半导体元件，其特征在于该进阶工艺控制方法至少包含：提供一基材；进行多个工艺，以在该基材上形成一栅极堆，其中该栅极堆包括一栅极层；在所述工艺的至少之一后，测量该栅极层的一晶粒尺寸测量值；判断该晶粒尺寸测量值是否在一目标范围内；以及倘若该测量晶粒尺寸测量值不在该目标范围内，修改所述工艺的至少之一的一工艺参数。