[发明专利]用于制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200910209922.2 | 申请日： | 2009-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN101740396A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 李斗成 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 | 代理人： | 宋子良;方抗美 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明披露了用于制造半导体器件的方法。该方法包括以下步骤：在半导体衬底上顺序形成第一氧化膜、氮化膜和第二氧化膜；刻蚀第二氧化膜和氮化膜，以形成暴露部分第一氧化膜的第二氧化膜图样和氮化膜图样；执行至少一次氮注入，以在这样暴露的第一氧化膜下方的半导体衬底中形成氮注入区；在其上形成有第二氧化膜图样和氮化膜图样的半导体衬底的表面上形成第三氧化膜；刻蚀其上形成有第三氧化膜的半导体衬底，以形成穿过氮离子注入区的沟槽；以及在沟槽中填充氧化膜，以形成器件隔离膜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上顺序形成第一氧化膜、氮化膜和第二氧化膜；刻蚀所述第二氧化膜和所述氮化膜，以形成暴露部分所述第一氧化膜的第二氧化膜图样和氮化膜图样；执行至少一次氮注入，以在这样暴露的所述第一氧化膜下方的所述半导体衬底中形成氮注入区；在其上形成有所述第二氧化膜图样和所述氮化膜图样的所述半导体衬底的表面上形成第三氧化膜；刻蚀其上形成有所述第三氧化膜的所述半导体衬底，以形成穿过所述氮离子注入区的沟槽；以及在所述沟槽中填充氧化膜，以形成器件隔离膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
