[发明专利]封装基板的制法有效
| 申请号： | 200910210710.6 | 申请日： | 2009-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN102054709A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 刘谨铭 | 申请（专利权）人： | 欣兴电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H05K3/46 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种封装基板的制法，包括：提供一基材，是由离形膜、包覆该离形膜的第一辅助介电层、及对应该离形膜表面而形成在该第一辅助介电层上的金属层所组成，并在各金属层上定义出有效区；该金属层形成内部线路层；在各第一辅助介电层及内部线路层上形成增层结构，各增层结构最外层具有多个第一电性接触垫，以在该离形膜上形成初始基板；移除该有效区以外的部分；移除该离形膜；以及在该第一辅助介电层上形成多个介电层开孔，以令该初始基板形成基板本体，且令部分内部线路层对应外露在各介电层开孔，从而供作为第二电性接触垫。本发明利用该第一辅助介电层包覆离形膜，因而最后仅需移除丢弃该离形膜，有效避免丢弃临时载体所造成的浪费问题。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 制法 | ||
【主权项】：
一种封装基板的制法，其特征在于，包括：提供一基材，是由具有相对两表面的离形膜、分别形成在该离形膜的表面并包覆该离形膜的第一辅助介电层、及分别形成在该第一辅助介电层上的金属层组成，并在各金属层上定义出有效区；在该金属层形成内部线路层；在各第一辅助介电层及内部线路层上形成增层结构，各增层结构最外层的表面具有多个第一电性接触垫，以在该离形膜的两表面上形成初始基板；移除该有效区以外的部分；移除该离形膜；以及在该第一辅助介电层上形成多个介电层开孔，以令该初始基板形成基板本体，且令部分内部线路层对应外露在各介电层开孔，从而供作为第二电性接触垫。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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