[发明专利]用于背面照明图像传感器的背面封装件的双金属有效
| 申请号： | 200910211246.2 | 申请日： | 2009-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN101783319A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 庄俊杰;杨敦年;刘人诚;王文德;洪志明;陈保同 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/146;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 公开了一种制造具有改进的焊接性能的半导体器件的方法。该方法包括设置具有前表面和后表面的衬底；在衬底的前表面上形成一个或多个传感器元件；在衬底的前表面上方形成一个或多个金属化层，其中形成第一金属化层包括在衬底的前表面上方形成第一导电层；将第一导电层从所述衬底的第一区域中去除；在衬底的前表面上方形成第二导电层；以及将第二导电层的部分从衬底的第一区域和第二区域中去除，其中第一区域中的第一金属化层包括第二导电层，第二区域中的第一金属化层包括第二导电层和第二导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 背面 照明 图像传感器 封装 双金属 | ||
【主权项】：
一种制造背面照明传感器器件的方法，所述方法包括：设置具有前表面和后表面的衬底；在所述衬底的前表面上形成一个或多个传感器元件；在所述衬底的前表面的上方形成一个或多个金属化层，其中，形成第一金属化层包括：在所述衬底的前表面的上方形成第一导电层；将所述第一导电层从所述衬底的第一区域中去除；在所述衬底的前表面的上方形成第二导电层；以及将所述第二导电层的部分从所述衬底的第一区域和第二区域中去除，其中，所述第一区域中的第一金属化层包括所述第二导电层，所述第二区域中的第一金属化层包括所述第一导电层和所述第二导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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