[发明专利]一种等离子发生装置及等离子处理装置无效
| 申请号： | 200910211247.7 | 申请日： | 2009-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN101742807A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 安成一;宋尚镐 | 申请（专利权）人： | IPS有限公司 |
| 主分类号： | H05H1/24 | 分类号： | H05H1/24;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 周建秋;王凤桐 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子发生装置。此装置包括：绝缘板(Smn)，沿第一方向及跨过第一方向的第二方向以矩阵形式排列；金属上板，包括其上设置绝缘板并具有四角形形状的贯通孔(Hmn)；天线结构体(Tmn)，设置于各绝缘板上。天线结构体包括：第一型天线结构体，接近于金属上板的边缘而设置；第二型天线结构体，接近于金属上板的边而设置；其中，第一型天线结构体比第二型天线结构体消耗更多的电力，从而可形成均匀等离子。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子 发生 装置 处理 | ||
【主权项】：
一种等离子发生装置，包括：绝缘板，沿第一方向及跨过第一方向的第二方向以矩阵形式排列；金属上板，包括其上设置绝缘板并具有四角形形状的贯通孔；及天线结构体，设置于各绝缘板上；其特征在于：上述天线结构体，包括：第一型天线结构体，接近于金属上板的边缘而设置；第二型天线结构体，接近于金属上板的边而设置；其中，第一型天线结构体比第二型天线结构体消耗更多的电力，从而可形成均匀等离子。
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