[发明专利]修复图形损伤的方法无效
| 申请号： | 200910211884.4 | 申请日： | 2009-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102053481A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 谢宝强;朱旋;杨兆宇;肖玉洁 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种修复图形损伤的方法，包括：将测试布线图形转移至控片表面的光刻胶层上，所述测试布线图形的临界尺寸与目标尺寸一致；对光刻胶层进行烘烤后，形成测试布线；测量测试布线的临界尺寸后将测试布线图形与测试布线的临界尺寸输入软件，得出缩减关系；通过所述缩减关系以及目标尺寸形成修正后测试布线图形；将修正后测试布线图形转移至厚铝上，形成目标尺寸的厚铝布线。本发明避免断路的发生，提高了半导体器件的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 修复 图形 损伤 方法 | ||
【主权项】：
一种修复图形损伤的方法，其特征在于，包括：将测试布线图形转移至控片表面的光刻胶层上，所述测试布线图形的临界尺寸与目标尺寸一致；对光刻胶层进行烘烤后，形成测试布线；测量测试布线的临界尺寸后，将测试布线图形与测试布线的临界尺寸输入软件，得出缩减关系；通过所述缩减关系以及目标尺寸形成修正后测试布线图形；将修正后测试布线图形转移至厚铝上，形成目标尺寸的厚铝布线。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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