[发明专利]晶圆表面缺陷的检测方法及装置有效
| 申请号： | 200910212186.6 | 申请日： | 2009-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102054724A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 顾颂 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01B11/03 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆表面缺陷的检测方法及装置，包括步骤：将晶圆分为至少两个测试带，确定所述测试带内不同芯片的位置，对各测试带检测，得到缺陷在以测试带为坐标系的测试带坐标系中的坐标；根据测试带内芯片的位置，以及缺陷在测试带坐标系中的坐标，确定缺陷所在的芯片；将所述每个测试带的坐标系转换为以其包含的芯片所在区域为坐标系的子坐标系；确定所述缺陷在子坐标系中的坐标。本发明可以定位缺陷在芯片中的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 缺陷 检测 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种晶圆表面缺陷的检测方法，其特征在于，包括步骤：将晶圆分为至少两个测试带，确定所述测试带内不同芯片的位置，对各测试带检测，得到缺陷在以测试带为坐标系中的坐标；根据测试带内芯片的位置，以及缺陷在测试带坐标系中的坐标，确定缺陷所在的芯片；将所述每个测试带的坐标系转换为以其包含的芯片所在区域为坐标系的子坐标系；确定所述缺陷在子坐标系中的坐标。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
