[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
申请号: | 200910212199.3 | 申请日: | 2009-11-13 |
公开(公告)号: | CN101740583A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 宫入秀和;长多刚;秋元健吾;山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L29/24;H01L29/423;H01L21/84;H01L21/34;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。随着显示器件具有较高的清晰度,像素、栅极线和信号线的数量都增加。当栅极线和信号线的数量增加时,存在难以通过结合等安装包括驱动栅极线和信号线的驱动电路的IC芯片,从而使制造成本增大的问题。将像素部分和驱动像素部分的驱动电路设置在相同衬底上,使驱动电路的至少一部分包括使用插在设置在氧化物半导体上方和下方的栅电极之间的氧化物半导体的薄膜晶体管。因此,当将像素部分和驱动电路设置在相同衬底上时,可以降低制造成本。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种显示器件,包含:在绝缘表面上的第一栅电极;在所述第一栅电极上的第一绝缘层;在所述第一绝缘层上的第一源极区或第一漏极区;在所述第一源极区或所述第一漏极区上的源电极或漏电极;在所述源电极或所述漏电极上的第二源极区或第二漏极区;在所述第二源极区或所述第二漏极区上的氧化物半导体层;覆盖所述氧化物半导体层的第二绝缘层;和在所述第二绝缘层上的第二栅电极,其中,所述氧化物半导体层形成于所述第一绝缘层上,并与所述第一栅电极重叠,所述氧化物半导体层的至少一部分布置在所述源电极和所述漏电极之间,并且所述第二栅电极与所述氧化物半导体层以及所述第一栅电极重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的