[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910212199.3 申请日: 2009-11-13
公开(公告)号: CN101740583A 公开(公告)日: 2010-06-16
发明(设计)人: 宫入秀和;长多刚;秋元健吾;山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/786;H01L29/24;H01L29/423;H01L21/84;H01L21/34;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 申发振
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及半导体器件及其制造方法。随着显示器件具有较高的清晰度,像素、栅极线和信号线的数量都增加。当栅极线和信号线的数量增加时,存在难以通过结合等安装包括驱动栅极线和信号线的驱动电路的IC芯片,从而使制造成本增大的问题。将像素部分和驱动像素部分的驱动电路设置在相同衬底上,使驱动电路的至少一部分包括使用插在设置在氧化物半导体上方和下方的栅电极之间的氧化物半导体的薄膜晶体管。因此,当将像素部分和驱动电路设置在相同衬底上时,可以降低制造成本。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种显示器件,包含:在绝缘表面上的第一栅电极;在所述第一栅电极上的第一绝缘层;在所述第一绝缘层上的第一源极区或第一漏极区;在所述第一源极区或所述第一漏极区上的源电极或漏电极;在所述源电极或所述漏电极上的第二源极区或第二漏极区;在所述第二源极区或所述第二漏极区上的氧化物半导体层;覆盖所述氧化物半导体层的第二绝缘层;和在所述第二绝缘层上的第二栅电极,其中,所述氧化物半导体层形成于所述第一绝缘层上,并与所述第一栅电极重叠,所述氧化物半导体层的至少一部分布置在所述源电极和所述漏电极之间,并且所述第二栅电极与所述氧化物半导体层以及所述第一栅电极重叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910212199.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top