[发明专利]具有高维持电压的SCR ESD保护结构无效
| 申请号： | 200910212765.0 | 申请日： | 2009-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN101764151A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 易扬波;杨东林;祝靖;王钦;刘侠 | 申请（专利权）人： | 苏州博创集成电路设计有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L23/60;H02H9/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种具有高维持电压的静电放电防护SCR结构，形成于一器件上，所述器件包括包含P型衬底，在P型衬底上设有N型掩埋层，在N型掩埋层上设有N型阱，在P型衬底上还设有与N型阱平行的P型阱。在N型阱中设有第一N+掺杂区和第一P+掺杂区，第一N+掺杂区和第一P+掺杂区通过接触孔引出并连接在一起，作为器件的阳极，在P型阱中设有第二N+掺杂区和第二P+掺杂区，第二N+掺杂区和第二P+掺杂区通过接触孔引出并连接在一起，作为器件的阴极。SCR结构便由N型阱中的P+掺杂区，N型阱区域，P型阱区域，P型阱中的N+掺杂区构成，它通过P型衬底和N型阱之间的掩埋层来增加维持状态下的N阱电阻，从而增加了维持电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 维持 电压 scr esd 保护 结构 | ||
【主权项】：
一种具有高维持电压的静电放电防护SCR结构，形成于一器件上，所述器件包括：所述P型衬底(50)，在所述P型衬底(50)上设有N型掩埋层(58)，在所述N型掩埋层(58)上设有N型阱(51)，在所述P型衬底(50)上还设有与所述N型阱(51)平行的P型阱(52)，在所述N型阱(51)中设有N+掺杂区(53)和P+掺杂区(54)，所述N+掺杂区(53)和所述P+掺杂区(54)通过接触孔引出并连接在一起，作为所述器件的阳极，在所述P型阱(52)中设有N+掺杂区(55)和P+掺杂区(56)，所述N+掺杂区(55)和所述P+掺杂区(56)通过接触孔引出并连接在一起，作为所述器件的阴极，其特征在于：所述的静电放电防护SCR结构由所述P+掺杂区(54)，所述N型阱(51)，所述N型掩埋层(58)，所述P型阱(52)，和所述N+掺杂区(55)所组成。
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