[发明专利]高速大功率半导体光源无效
| 申请号： | 200910213726.2 | 申请日： | 2009-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102088161A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 柴广跃;王少华 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高速大功率半导体光源，其包括：相对设置的p电极和n电极、主振荡部分以及功率放大部分。主振荡部分为单模高速DFB-LD或DBR-LD。功率放大部分位于主振荡部分的后方，且功率放大部分的主轴线与主振荡部分的主轴线有一定的倾斜角。本发明高速大功率半导体光源进一步包括一隔离槽，该隔离槽设置于p电极上且位于主振荡部分与功率放大部分之间。本发明的半导体光源可有效地抑制光反馈及电信号间的干扰，具有直接调制输出高速大功率光信号的潜在能力，可通过百毫安的调制电流和数安培的直流电流获得几兆赫兹、瓦级的直接调制的输出光功率。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 大功率 半导体 光源 | ||
【主权项】：
一种高速大功率半导体光源，其包括：相对设置的p电极和n电极；主振荡部分，且该主振荡部分为单模高速DFB‑LD或DBR‑LD；功率放大部分，该功率放大部分位于该主振荡部分的后方；其特征在于：该功率放大部分的主轴线与该主振荡部分的主轴线有一定的倾斜角，该高速大功率半导体光源进一步包括一隔离槽，该隔离槽设置于该p电极上且位于该主振荡部分与该功率放大部分之间。
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