[发明专利]一种局域前表面场N型太阳电池的制作方法

摘要

本发明公开了一种局域前表面场N型太阳电池的制作方法，该方法利用铝硅合金化过程或高温硼扩散过程形成背表面p-n结，激光掺杂形成前表面局域重掺杂N型区域作为前表面场，并用化学镀或电镀方法在上述重掺杂N型区域上制作前电极。本发明与传统制作工艺相比具有工艺简单、成本低廉、无需二次对位等优点。

主权项

一种局域前表面场N型太阳电池的制作方法，其特征是利用铝硅合金化过程或高温硼扩散过程形成背表面p-n结，激光掺杂形成前表面局域重掺杂N型区域作为前表面场，并用化学镀或电镀方法在上述重掺杂N型区域上制作前电极，具体包括以下步骤：(a)对N型半导体衬底进行表面织构化并进行化学清洗；(b)在N型半导体衬底前表面制备介质膜；(c)在N型半导体衬底背表面制作p-n结；(d)在N型半导体衬底背表面制作银电极和铝电极；(e)在N型半导体衬底前表面涂覆磷源；(f)在N型半导体衬底前表面进行激光掺杂形成局域重掺杂N型区域；(g)用化学镀或电镀方法在重掺杂N型区域上制作前电极。