[发明专利]感测放大器以及包括感测放大器的半导体存储装置有效
| 申请号： | 200910216842.X | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101996673A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 元炯植 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06;G11C7/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杨林森;康建峰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种感测放大器和包括感测放大器的半导体存储装置。该感测放大器包括具有连接至第一线的输入端和连接至第二线的输出端的第一反相器和具有连接至第二线的输入端和连接至第一线的输出端的第二反相器，其中第一反相器的NMOS晶体管和第二反相器的NMOS晶体管具有彼此不同的阱偏置。 | ||
| 搜索关键词： | 放大器 以及 包括 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种感测放大器，包括：第一反相器，其具有耦合至第一线的输入端和耦合至第二线的输出端；以及第二反相器，其具有耦合至第二线的输入端和耦合至第一线的输出端，其中第一反相器的NMOS晶体管和第二反相器的NMOS晶体管具有彼此不同的阱偏置。
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