[发明专利]交换耦合型纳米点的制备方法无效
| 申请号： | 200910218043.6 | 申请日： | 2009-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102097104A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 王雅新;张永军;丁雪;杨艳婷;杨景海 | 申请（专利权）人： | 吉林师范大学 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84;G11B5/667 |
| 代理公司： | 吉林省长春市新时代专利商标代理有限公司 22204 | 代理人： | 石岱 |
| 地址： | 136000 吉林省四*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种可应用于高密度磁存储的纳米结构材料的制备方法，具体的说是一种交换耦合型纳米点的制备方法。该方法通过衬底的制备、双层膜沉积两个工艺步骤实现，它利用自组装的纳米胶体球阵列来制备尺寸可控、结构完整的FeNi/NiO的纳米结构阵列，具有边缘结构完整、存储性能好、交换偏置效应强等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 交换 耦合 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种交换耦合型纳米点的制备方法，其特征在于：该制备方法包括以下步骤：①、衬底的制备，采用自组装技术制备单层呈六角密堆的胶体阵列球面衬底；②、双层膜沉积，采用溅射技术向①中制得的胶体阵列球面衬底上沉积FeNi/NiO双层膜，使得小球间隙的薄膜厚度仅为小球顶部薄膜厚度的2/3，从而获得具有交换偏置作用的交换耦合型纳米点纳。
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