[发明专利]一种非晶硅太阳能电池的激光划刻工艺

摘要

本发明涉及太阳能电池生产领域，具体的说是一种非晶硅太阳能电池的激光划刻工艺。该激光划刻工艺的具体步骤是，首先在钢化玻璃上溅镀一层TCO膜，通过激光划刻设备对TCO膜划刻一道沟槽，沟槽划刻宽度为40-50微米，深度为TCO膜的厚度；然后在TCO膜表面沉积一层PIN膜，再采用激光划刻设备对PIN膜划刻一道沟槽，沟槽划刻的宽度为50-80微米，深度为PIN膜的厚度；再在PIN膜表面沉积Al导电膜，最后通过激光划刻设备对Al导电膜划刻一道沟槽，沟槽划刻的宽度一般为50-60微米，深度为Al导电膜的厚度。本发明还具有结构简单合理，激光划刻工艺简单，效果好，太阳能电池的结构稳定，电池的转换效率高等优点。

主权项

一种非晶硅太阳能电池的激光划刻工艺，其特征在于：该激光划刻工艺的具体步骤如下：首先在钢化玻璃(1)上溅镀一层TCO膜(2)，通过激光划刻设备对TCO膜(2)划刻一道沟槽(5)，沟槽(5)划刻宽度为40‑50微米，深度为TCO膜(2)的厚度；然后在TCO膜2表面沉积一层PIN膜(3)，再采用激光划刻设备对PIN膜(3)划刻一道沟槽(6)，沟槽(6)划刻的宽度为50‑80微米，深度为PIN膜(3)的厚度；再在PIN膜(3)表面沉积Al导电膜(4)，最后通过激光划刻设备对Al导电膜(4)划刻一道沟槽(7)，沟槽(7)划刻的宽度一般为50‑60微米，深度为Al导电膜(4)的厚度。