[发明专利]预报集成电路负偏压不稳定性失效的测试电路有效
| 申请号： | 200910218654.0 | 申请日： | 2009-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101706551A | 公开（公告）日： | 2010-05-12 |
| 发明（设计）人： | 庄奕琪;辛维平;李小明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;G01R19/165 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种预报集成电路负偏压不稳定性失效的测试电路。主要包括测量管(3)，恒流偏置电路，电压参考电路，滞回比较器电路，双向开关电路，开关管(12)。该测量管(3)用于测量阈值电压漂移，该恒流偏置电路给测量管(3)提供恒流偏置，该电压参考电路给滞回比较器提供参考电压，双向开关电路使测量管(3)在退化与测试之间进行切换。退化期间，该开关管(12)关闭滞回比较器、恒流偏置电路和电压参考电路，以减小功耗；测试时，开关管(12)开启滞回比较器、恒流偏置电路和电压参考电路，当测量管源漏电压大于参考电压，滞回比较器输出高电平，预示着集成电路即将失效。本发明可用于对负偏压不稳定性效应失效的预报。 | ||
| 搜索关键词： | 预报 集成电路 偏压 不稳定性 失效 测试 电路 | ||
【主权项】：
一种预报集成电路负偏压不稳定性失效的测试电路，其特征在于：它包括测量管PMOSFET(3)，两个NMOSFET(7，8)与电源组成恒流偏置电路，PMOSFET(9)与两个NMOSFET(10，11)组成电压参考电路，五个NMOSFET(17，18，19，21，23)与六个PMOSFET(13，14，15，16，20，22)组成滞回比较器电路，三个双向开关电路(K1，K2，K3)，反相器(24)，开关管PMOSFET(12)；该NMOSFET(7)，NMOSFET(8)，PMOSFET(9)，NMOSFET(10)，NMOSFET(11)均为栅漏短接结构；该测量管PMOSFET(3)用于测量阈值电压漂移；该恒流偏置电路给PMOSFET(3)提供恒流偏置；该PMOSFET(9)与两个NMOSFET(10，11)组成的电压参考电路给滞回比较器电路提供参考电压，并给NMOSFET(19)的栅极提供偏置；三个双向开关电路(K1，K2，K3)使PMOSFET(3)在应力退化与测试之间进行切换；反相器(24)将PMOSFET(3)的栅极应力反相，并传输给其漏极；该开关管PMOSFET(12)在PMOSFET(3)处于应力期间关闭滞回比较器电路、恒流偏置电路和电压参考电路，以减小功耗；测试时，开关管(12)开启滞回比较器电路、恒流偏置电路和电压参考电路，当PMOSFET(3)源漏之间的电压大于参考电压VREF时，滞回比较器电路输出高电平，预示着集成电路即将失效。
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