[发明专利]平面式排布的PN结阵列器件

摘要

平面式排布的PN结阵列器件，由阳极、阴极和半导体PN结组成。器件由上下两块基板组合而成的真空腔，其中在一块基板上依次制备有绝缘层间隔的PN结阵列，每个点阵元都含有金属制备的阳极和阴极，阳极与阴极之间是由N型和P型半导体材料构成的PN结。本结构若用作太阳能电池可使N型和P型半导体材料同时受光，提高了光能利用效率，使光生载流子数目大幅提升，在传输中减少了载流子碰撞损耗，另外，由于结构的改变，可在不影响(或提高)参数性能的条件下，大幅减少材料的体积和面积，且能按需组合，提供必要的电功输出；若用作发光器件，本结构有利于散热、封装，可制作大功率发光器件、平面光源和用于显示，制成显示器。

主权项

平面式排布的PN结阵列器件，包括基板(7)和封装件(8)组合而成的真空腔，其特征在于：在位于真空腔内的基板(7)表面依次制备有绝缘层(6)间隔的阵列，每个阵列都含有金属阳极(5)和金属阴极(1)，在金属阳极(5)与阴极之间(1)之间设置有由N型半导体材料(2)和P型半导体材料(4)构成的PN结(3)，所说的金属阳极(5)、绝缘层(6)、金属阴极(1)、N型半导体材料(2)和P型半导体材料(4)采用气相沉积、掩模技术或扩散技术制备在基板(7)表面。