[发明专利]一种发光二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 200910219699.X | 申请日： | 2009-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102054912A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 刘硕;武胜利;陈向东;肖志国 | 申请（专利权）人： | 大连路美芯片科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 116025 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管及其制造方法，通过在外延片中加入电流扩展曾，使用键合材料和半导体材料形成肖特基势垒的方法阻挡和扩展电流，增加电流密度，提高发光二极管亮度，亮度提升范围是5％-10％。本发明避免采用二次外延技术，这样可以降低生产成本，简化生产过程，缩短生产时间，提高良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，从下至上依次包括衬底、缓冲层、反射层、n型限制层、发光区、p型限制层、窗口层、出光层和电极，其特征在于，在窗口层和p型限制层间加入电流阻挡层形成肖特基势垒，所述电流阻挡层的厚度为0.01‑‑5.0μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连路美芯片科技有限公司，未经大连路美芯片科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910219699.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：接纳判决方法和设备
- 下一篇：用户线路的管理方法、系统及接入节点
