[发明专利]在半导体器件中形成高K栅极叠层的方法

摘要

本发明涉及在半导体器件中形成高K栅极叠层的方法。本发明提供形成MOSFET器件的高K栅极叠层(1，10，20，30)以控制MOSFET器件的阈值电压的方法。在半导体衬底(3，12)上形成第一高K金属氧化物层(2，11，22，32)。然后直接在所述第一层(2，11，22，32)上形成至少一个复合层。所述复合层包括直接形成在偶极诱导层(5，13，23，34)上的第二高K金属氧化物层(6，14，24，33)。所述偶极诱导层包括具有与所述第一和第二层相比更高的氧空位亲和力和更低的氧空位扩散率的高K金属氧化物。然后，在所述至少一个复合层上形成金属栅极电极(7，15，25)。将所述各层形成为使所述至少一个复合层的所述偶极诱导层(5，13，23，34)定位在所述栅极电极与所述衬底之间，以使所述阈值电压漂移到希望的水平。

主权项

一种形成MOSFET器件的高K栅极叠层以控制所述MOSFET器件的阈值电压的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成第一高K金属氧化物层；直接在所述第一层上形成至少一个复合层，所述复合层包括直接形成在偶极诱导层上的第二高K金属氧化物层，所述偶极诱导层包括具有与所述第一和第二层相比更高的氧空位亲和力和更低的氧空位扩散率的高K金属氧化物；以及在所述至少一个复合层上形成金属栅极电极；其中将所述各层形成为使所述至少一个复合层的所述偶极诱导层定位在所述栅极电极与所述衬底之间，以使所述阈值电压漂移到所希望的水平。