[发明专利]一种相变随机存储器

摘要

本发明公开了一种相变随机存储器，包括相变存储单元阵列、译码器、逻辑控制模块、写入模块、读出模块和输入输出端口控制模块；相变存储单元阵列包括多个相变存储单元，每个相变存储单元由选择元件和相变存储单元组成；写入模块和读出模块适应于相变材料存储特性，译码器和逻辑控制模块能够协调存储器正常工作。本发明实现了相变随机存储器芯片的电路设计，能正确完成对相变存储单元的随机选择、读出和写入，并且本发明各个模块电路结构简单实用，性能良好。

主权项

一种相变随机存储器，其特征在于：它包括相变存储单元阵列(51)、字线译码器(52)、逻辑控制模块(53)、写入模块(54)、读出模块(55)和输入输出端口控制模块(56)；逻辑控制模块(53)分别接收来自于外部提供的芯片选通信号和芯片读写信号，经电路转换得到写使能信号和读使能信号，并将写使能信号输出至写入模块(54)，将读使能信号输出至输入输出端口控制模块(56)；字线译码器(52)用于实现读写单元的选择；它分别接收外部的芯片选通信号和字线地址，将字线地址进行译码处理，通过选通的字线将字线选通信号输出至相变存储单元阵列(51)；令m为正整数，表示位线地址的位数，n为正整数，表示字线地址的位数，相变存储单元阵列(51)包括2m×2n个相变存储单元，各相变存储单元中的存储元件由相变材料制成；所述选通的字线上的2m位相变存储单元作为选中的写单元或读单元，；输入输出端口控制模块(56)根据接收到的读使能信号确定I/O接口的信号流动方向，当读使能信号为低电平时，通过I/O接口接收来自于外部的带有存储信息的信号(Din)，并输出至写入模块(54)；当读使能信号为高电平时，接收读出模块(55)输出的带有存储阵列中存储信息的信号(Dout)；写入模块(54)的二个接收端分别与外部的第一、第二偏置电阻相连，写入模块(54)根据写使能信号，二个偏置电阻的电阻值，以及外部的带有存储信息的信号(Din)，产生幅值和脉宽不同的电流，并将该电流输入至所选中的写单元；读出模块(55)分别与外部的第三偏置电阻和相变存储单元阵列(51)连接，将选中的读单元的电阻值转换成电平信号输出，转换后的电平信号为带有存储阵列中存储信息的信号(Dout)。